Forschungserfolg: Entwicklung eines chemieunterstützten Plasmaverfahrens für Chips der nächsten Generation
Wissenschaftler des Princeton Plasma Physics Laboratory haben eine neue Methode entwickelt, bei der das Beschichten ändisulfid mit Sauerstoff oder Fluor vor dem Plasmaätzen die benötigte Energie zur Entfernung der Schwefelschicht von 30 auf 10 oder 14 Elektronenvolt senkt. Dieser Ansatz minimiert das Risiko äden an den darunterliegenden Materialschichten und ermöglicht eine präzisere Herstellung für zukünftige Computerchips.
Kurzfassung
Warum das wichtig ist
- Wissenschaftler des Princeton Plasma Physics Laboratory haben eine neue Methode entwickelt, bei der das Beschichten ändisulfid mit Sauerstoff oder Fluor vor dem Plasmaätzen die benötigte Energie zur Entfernung der Schwefelschicht von 30 auf 10 oder 14 Elektronenvolt senkt.
- Dieser Ansatz minimiert das Risiko äden an den darunterliegenden Materialschichten und ermöglicht eine präzisere Herstellung für zukünftige Computerchips.
- Ein neues Kapitel in der Halbleitertechnologie Angesichts der physikalischen Grenzen herkmmlicher, auf Silizium basierender Chips wenden sich Wissenschaftler alternativen Materialien zu, um leistungsfhigere und kleinere Transistoren herzustellen.
SvyTech-Check
Redaktionelle Einordnung
Kernpunkt
Dieser Ansatz minimiert das Risiko äden an den darunterliegenden Materialschichten und ermöglicht eine präzisere Herstellung für zukünftige Computerchips.
Warum relevant
Zwei-dimensionale bergangsmetall-Dikalkogenide (TMD), insbesondere Molybdndisulfid, gelten als vielversprechende Kandidaten fr zuknftige Computerchips.
Einordnung
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Zwei-dimensionale bergangsmetall-Dikalkogenide (TMD), insbesondere Molybdndisulfid, gelten als vielversprechende Kandidaten fr zuknftige Computerchips. Die Herstellung dieser empfindlichen Materialien erfordert jedoch eine auergewhnlich hohe Przision auf atomarer Ebene.
Das Problem der Przision beim Plasma-tzprozess Um Transistoren herzustellen, mssen Ingenieure TMD-Materialien mit Silizium kombinieren; dabei ist es notwendig, lediglich die oberste Schwefelschicht, ohne die darunterliegenden Schichten zu beschdigen.
Der beim Sektor weit verbreitete, auf Plasma basierende tzprozess entfernt Schwefelatome durch den Aufprall ionisierter Teilchen auf die Materialoberflche. Dieser Vorgang birgt jedoch die erhebliche Herausforderung, die aufgewendete Kraft zu balancieren.
Was die Studie zeigt
Weniger Energie reicht aus, um die Schwefelschicht zu entfernen, whrend zu viel Energie dauerhafte Schden in der darunterliegenden Molybdn-Schicht verursachen kann. Erweiterung des Chemically Assisted Safety Zones Forscher des Princeton Plasma Physics Laboratory haben diesen empfindlichen Grenzbereich durch Computersimulationen erweitert.
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Quelle und redaktionelle Angaben
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