Forschungserfolg: Entwicklung eines chemieunterstützten Plasmaverfahrens für Chips der nächsten Generation

Zwei-dimensionale bergangsmetall-Dikalkogenide (TMD), insbesondere Molybdndisulfid, gelten als vielversprechende Kandidaten fr zuknftige Computerchips. Die Herstellung dieser empfindlichen Materialien erfordert jedoch eine auergewhnlich hohe Przision auf atomarer Ebene.

Das Problem der Przision beim Plasma-tzprozess Um Transistoren herzustellen, mssen Ingenieure TMD-Materialien mit Silizium kombinieren; dabei ist es notwendig, lediglich die oberste Schwefelschicht, ohne die darunterliegenden Schichten zu beschdigen.

Der beim Sektor weit verbreitete, auf Plasma basierende tzprozess entfernt Schwefelatome durch den Aufprall ionisierter Teilchen auf die Materialoberflche. Dieser Vorgang birgt jedoch die erhebliche Herausforderung, die aufgewendete Kraft zu balancieren.

Was die Studie zeigt

Weniger Energie reicht aus, um die Schwefelschicht zu entfernen, whrend zu viel Energie dauerhafte Schden in der darunterliegenden Molybdn-Schicht verursachen kann. Erweiterung des Chemically Assisted Safety Zones Forscher des Princeton Plasma Physics Laboratory haben diesen empfindlichen Grenzbereich durch Computersimulationen erweitert.