Samsung stellt neue KI-Technologien vor, die Speicherlimits herausfordern
Samsung präsentierte auf der Veranstaltung „Future of Memory and Storage 2026" in Kalifornien neue KI-Hardware-Konzepte, darunter den vertikal auf dem Prozessor platzierten zHBM-Speicher mit einer Leistung, die das Achte Mal höher ist als bei Standard-HBM5, sowie den V10 BV-NAND-Prototypen, der die 400-Schichten-Grenze durchbricht und die Speicherdichte um 58 Prozent steigert. Zusätzlich wurde das für In-Device- und Edge-KI optimierte zNAND-O vorgestellt, das durch die Kombination hohe Kapazitäten in kompakten Bereichen bei reduzierter Latenz bietet.
Kurzfassung
Warum das wichtig ist
- Samsung präsentierte auf der Veranstaltung „Future of Memory and Storage 2026" in Kalifornien neue KI-Hardware-Konzepte, darunter den vertikal auf dem Prozessor platzierten zHBM-Speicher mit einer Leistung, die das Achte Mal höher ist als bei Standard-HBM5, sowie den V10 BV-NAND-Prototypen, der die 400-Schichten-Grenze durchbricht und die Speicherdichte um 58 Prozent steigert.
- Zusätzlich wurde das für In-Device- und Edge-KI optimierte zNAND-O vorgestellt, das durch die Kombination hohe Kapazitäten in kompakten Bereichen bei reduzierter Latenz bietet.
- Ein neues Zeitalter der KI-Hardware Samsung stellte auf der am 20.
SvyTech-Check
Redaktionelle Einordnung
Kernpunkt
Zusätzlich wurde das für In-Device- und Edge-KI optimierte zNAND-O vorgestellt, das durch die Kombination hohe Kapazitäten in kompakten Bereichen bei reduzierter Latenz bietet.
Warum relevant
Oktober in Kalifornien stattfindenden Veranstaltung „Future of Memory and Storage (FMS) 2026" neue Speicher- und Speichertechnologien vor, die die Infrastruktur für künstliche Intelligenz unterstützen werden.
Einordnung
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Oktober in Kalifornien stattfindenden Veranstaltung „Future of Memory and Storage (FMS) 2026" neue Speicher- und Speichertechnologien vor, die die Infrastruktur für künstliche Intelligenz unterstützen werden.
Um Engpässe bei den Datenübertragungsgeschwindigkeiten zu beseitigen und die Speicherdichte zu erhöhen, präsentierte das Unternehmen die Konzeptmodelle zHBM und zNAND-O sowie den ersten V10 BV-NAND-Prototypen mit mehr als 400 Schichten.
Speicher direkt auf dem Prozessor platziert: zHBM Eines der auffälligsten Technologien auf der Veranstaltung war das Konzept zHBM. In bestehenden Designs werden Hochbandbreiten-Speicher (HBM) seitlich neben KI-Beschleunigern positioniert. Der neue Ansatz, zHBM vertikal direkt auf dem Prozessor zu stapeln.
Technischer Hintergrund
Diese Methode verkürzt die Strecke, die Daten zwischen Prozessor und Speicher zurücklegen müssen, und steigert die Datenübertragungsraten erheblich. Laut den zHBM eine um das Achte Mal höhere Leistung im Vergleich zu einer Standard-HBM5-Lösung.
Quellenprofil
Quelle und redaktionelle Angaben
- Quelle
- wccftech.com
- Canonical
- https://svytech.de/artikel/samsung-stellt-neue-ki-technologien-vor-die-speicherlimits-herausfordern
- Quell-URL
- https://wccftech.com/samsung-tackles-memory-storage-wall-400-layer-hybrid-bonded-v10-bv-nand-zhbm-znand-o/
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