Samsung entwickelt ersten 900-Layer-V-NAND-Prototyp und nähert sich 1000-Ebenen-Marke
Samsung rückt seinem 1000-Lagen-V-NAND-Verfahren näher, nachdem es den ersten Prototyp mit 900 Lagen realisiert hat, und bereitet sich auf einen schnellen Wettlauf mit der Konkurrenz vor.

Kurzfassung
Warum das wichtig ist
- Samsung rückt seinem 1000-Lagen-V-NAND-Verfahren näher, nachdem es den ersten Prototyp mit 900 Lagen realisiert hat, und bereitet sich auf einen schnellen Wettlauf mit der Konkurrenz vor.
- Samsung hat den ersten Prototypen eines V-NAND-Speichers mit 900 Ebenen realisiert und rückt damit dem Ziel von 1.000 Ebenen näher.
- Das Unternehmen bereitet sich nun auf einen intensiven Wettbewerb mit seinen Konkurrenten vor.
Der neue Prototyp basiert auf einer innovativen Struktur, bei der zwei Zellen mit jeweils 450 Ebenen zu einer einzigen Einheit kombiniert werden. Diese Vorgehensweise bringt Samsung nur wenige Schritte vom Durchbruch zur 1.000-Ebenen-Marke entfernt.

Samsung gilt als Marktführer bei der Entwicklung entwickelte V-NAND-Technologie wird derzeit als eine der leistungsfähigsten Lösungen am Markt eingestuft. Bereits für das Jahr 2024 hatte das Unternehmen die Einführung von 1.000-Ebenen-NAND-Speichern angekündigt.

Diese Pläne basieren auf dem Einsatz neuer ferroelektrischer Materialien, die eine weitere Steigerung der Speicherdichte ermöglichen sollen.
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Quellenprofil
Quelle und redaktionelle Angaben
- Quelle
- Wccftech
- Originaltitel
- Samsung Leapfrogs Toward 1000-Layer NAND With First 900-Layer V-NAND Prototype, Stacking Two 450-Layer Cells Into One
- Canonical
- https://wccftech.com/samsung-leapfrogs-toward-1000-layer-nand-with-first-900-layer-v-nand-prototype/
- Quell-URL
- https://wccftech.com/samsung-leapfrogs-toward-1000-layer-nand-with-first-900-layer-v-nand-prototype/
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