Intel hat mit Abschluss des RAMP-C-Programms den Weg für die fortschrittliche Chipproduktion in den USA geebnet.

Technik und Auswirkungen

Der Intel 18A-Fertigungsprozess, der in diesem Prozess eine entscheidende Rolle spielt, steigert die Energieeffizienz und die Transistordichte durch den Einsatz fortschrittlicher Transistortechnologien wie RibbonFET und PowerVia. Intel setzt diese Fertigungstechnologien in seinen fortschrittlichen Anlagen in Oregon um.

Die Intel 18A Panther Lake-Prozessoren werden mit der High-NA-EUV-Technologie, wodurch Intel anstrebt, das Gleichgewicht in der globalen Lieferkette zugunsten der lokalen Fertigung zu verschieben.

Die Bedeutung der lückenlosen lokalen Produktion Die Initiative der Vereinigten Staaten zur Förderung der heimischen Produktion ist ßer Bedeutung, um die globalen Abhängigkeiten im Halblektor zu verringern.

Technik und Auswirkungen

Viele Technologieunternehmen sind derzeit auch dann weiterhin auf die Produktion im Ausland angewiesen, wenn sie fortschrittliche Chips in den USA fertigen lassen, da sie für die abschließenden Verarbeitungsschritte auf ausländische Standorte angewiesen bleiben.

Beispielsweise müssen die ersten in den USA hergestellten NVIDIA GB300-Chips zur Verpackung nach Taiwan verschifft werden.

Die RAMP-C-Programms aufgebaute Infrastruktur sowie das darauf folgende Secure-Enclave-Projekt zielen darauf ab, solche logistischen und Sicherheitslücken zu schließen und eine lückenlose lokale Produktion sowie Verpackung zu ermöglichen.

Technik und Auswirkungen

Technische Details und zukünftige Roadmap Intel Foundry bietet seinen Kunden über das RAMP-C-Programm Chip-Design-Regeln, erweiterte Portfolios geistigen Eigentums und Validierungsprozesse für Testchips an. Laut den aktuell hat Intel auch eine verbesserte Version der 18A-Technologie, den Intel 18A-P-Prozess, in die risikobehaftete Produktion aufgenommen.

Dieser neue Prozess verspricht im Vergleich zur ursprünglichen 18A-Architektur bei gleichem Stromverbrauch eine um 9 % höhere Leistung oder bei gleicher Leistung einen um 18 % geringeren Stromverbrauch.

Zudem erleichtert die Verbesserung des thermischen Widerstands um 20 % bis 40 % die Erfüllung öße, Gewicht und Leistung bei Systemen, die den militärischen und industriellen Standards entsprechen.