StudieTechnologie
Quantum-Berechnungen könnten Transistoren unter die 4-Nanometer-Grenze bringen
Forscher des südkoreanischen Instituts KAIST haben eine neue Simulationsmethode entwickelt, die mithilfe der Dichtefunktionaltheorie vorhersagt, wie klein Transistoren verkleinert werden können, bevor Quanteneffekte wie das Tunneln ören. Diese praxisnahe Modellierung, die speziell auf zweidimensionalem Molybdändisulfid getestet wurde, zeigt, dass durch gezielte Materialauswahl Elektronenleckagen auch bei Transistorgroßen unter vier Nanometern verhindert werden können und ermöglicht so eine beschleunigte Entwicklung für künstliche Intelligenz ohne kostspielige physische Prototypen.
17.06.2026
Live Redaktion
