SK Hynix zwingt Samsung zum 400-Lagen-NAND-Überholen, doch der komplette Verzicht auf Wolfram ist zwingend, da die Stapelung an ein Materiallimit stößt.
SK Hynix wird voraussichtlich bis Ende 2026 mit der Massenproduktion seiner NAND-Flash-Lösung mit 375 Schichten beginnen und damit höhere Speicherkapazitäten anbieten.
Kurzfassung
Warum das wichtig ist
- SK Hynix wird voraussichtlich bis Ende 2026 mit der Massenproduktion seiner NAND-Flash-Lösung mit 375 Schichten beginnen und damit höhere Speicherkapazitäten anbieten.
- SK Hynix setzt dieses Jahr auf 375-Schicht-NAND und plant in den kommenden Jahren Nachfolger mit 480 bzw.
- SK Hynix und Samsung befinden sich im Wettbewerb, die höchste Anzahl an Schichten im NAND-Flash-Segment zu erreichen.
SvyTech-Check
Redaktionelle Einordnung
Kernpunkt
SK Hynix wird voraussichtlich bis Ende 2026 mit der Massenproduktion seiner NAND-Flash-Lösung mit 375 Schichten beginnen und damit höhere Speicherkapazitäten anbieten.
Warum relevant
SK Hynix setzt dieses Jahr auf 375-Schicht-NAND und plant in den kommenden Jahren Nachfolger mit 480 bzw.
Einordnung
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SK Hynix wird voraussichtlich bis Ende 2026 mit der Massenproduktion seiner NAND-Flash-Lösung mit 375 Schichten beginnen und damit höhere Speicherkapazitäten anbieten.
SK Hynix setzt dieses Jahr auf 375-Schicht-NAND und SK Hynix wird voraussichtlich bis Ende 2026 mit der Massenproduktion seiner NAND-Flash-Lösung mit 375 Schichten beginnen und damit höhere Speicherkapazitäten anbieten. SK Hynix setzt dieses Jahr auf 375-Schicht-NAND und plant in den kommenden Jahren Nachfolger mit 480 bzw. 604 Schichten.
SK Hynix und Samsung befinden sich im Wettbewerb, die höchste Anzahl an Schichten im NAND-Flash-Segment zu erreichen. Während Samsung über 400 Schichten hinausstrebt und Dual-Stacking-Lösungen bis zu 1000 Schichten plant, wird Hynix bald mit der Massenproduktion seines 375-Schicht-NAND beginnen.
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Originalquelle: Wccftech
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Quellenprofil
Quelle und redaktionelle Angaben
- Quelle
- Wccftech
- Originaltitel
- SK Hynix Races Samsung to 400+ Layer NAND, but Must Abandon Tungsten Entirely as Stacking Hits a Material Wall
- Canonical
- https://wccftech.com/sk-hynix-races-samsung-to-400-layer-nand-must-abandon-tungsten-as-stacking-hits-a-wall/
- Quell-URL
- https://wccftech.com/sk-hynix-races-samsung-to-400-layer-nand-must-abandon-tungsten-as-stacking-hits-a-wall/
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