Samsung verzögert den Einsatz von Hoch-NA-EUV-Lithographiemaschinen für die 1-Nanometer-Produktion

Während die Wellenlänge des Lichts

Während die Wellenlänge des Lichts in herkömmlichen EUV-Systemen bei 13,5 Nanometern konstant bleibt, ermöglicht die Erhöhung der numerischen Apertur des Linsensystems von 0,33 auf 0,55, dass Schaltkreise in einem einzigen Schritt deutlich kleiner gedruckt werden.

Whrend bei Maschinen mit niedriger numerischer Apertur (NA) angewandte Doppel- oder Mehrfachbelichtungstechniken den enormen Investitionsaufwand in Hhe, den die neuen Systeme erfordern, noch fr eine gewisse Zeit hinauszgern, verfhren die Hersteller mit Vorsicht. Whrend Intel allein voranschreitet, gehen die Produzenten behutsam vor.

Im Chipmarkt ist Intel das einzige Unternehmen, das die Hoch-NA-EUV-Systeme, die es in den Fab-D1X-Sttten in den USA installiert hat, bereits frhzeitig in die Produktionslinien integriert hat.

Technik und Auswirkungen

Samsung und TSMC hingegen zielen darauf ab, die bestehende Niedrig-NA-Infrastruktur durch fotomaske-schtzende Filme und fortschrittliche softwarebasierte Lithografie-Verfahren bis auf 1,4 Nanometer zu drngen.

Gem den uerungen dieser Maschinen in der ra unter einem Nanometer unvermeidlich, doch das Jahr 2030 stellt die kritische Schwelle fr die Massenproduktion dar.