Kirin 9030-Analyse: SMIC überholte Intel bei der 18A-Leistung, doch Fragen bleiben
Trotz der US-Sanktionen und des Mangels an EUV-Lithografieanlagen hat SMIC mit dem DUV-basierten N+3-Prozess für das Huawei-Kirin 9030-Chipset eine physische Transistordichte erreicht, die mit globalen Marktführern mithalten kann. Allerdings opfert diese Strategie erhebliche Effizienzgewinne, da das Chip deutlich höheren Stromverbrauch aufweist und in der reinen Leistungsfähigkeit hinter aktuellen Wettbewerbern wie Apple und Intel zurückbleibt, weshalb Huawei nun auf innovative 3D-Verpackungslösungen setzt, um die Leistung zu kompensieren.

Kurzfassung
Warum das wichtig ist
- Trotz der US-Sanktionen und des Mangels an EUV-Lithografieanlagen hat SMIC mit dem DUV-basierten N+3-Prozess für das Huawei-Kirin 9030-Chipset eine physische Transistordichte erreicht, die mit globalen Marktführern mithalten kann.
- Allerdings opfert diese Strategie erhebliche Effizienzgewinne, da das Chip deutlich höheren Stromverbrauch aufweist und in der reinen Leistungsfähigkeit hinter aktuellen Wettbewerbern wie Apple und Intel zurückbleibt, weshalb Huawei nun auf innovative 3D-Verpackungslösungen setzt, um die Leistung zu kompensieren.
- Der chinesische Halbleiterhersteller SMIC und der Technologieriese Huawei erzielen auch weiterhin beeindruckende Ergebnisse mit ihren derzeitigen DUV (Deep Ultraviolet)-Systemen, obwohl sie aufgrund der US-Sanktionen keinen Zugang zu EUV (Extreme Ultraviolet)-Lithografieanlagen haben.
SvyTech-Check
Redaktionelle Einordnung
Kernpunkt
Trotz der US-Sanktionen und des Mangels an EUV-Lithografieanlagen hat SMIC mit dem DUV-basierten N+3-Prozess für das Huawei-Kirin 9030-Chipset eine physische Transistordichte erreicht, die mit globalen...
Warum relevant
Laut Analyseberichten ergaben Messungen am Kirin 9030, dass die engste Metallverbindungsabstand (Metal Pitch) bei 32,5 nm liegt.
Einordnung
SvyTech ordnet die Meldung aus wccftech.com als Teil des Themenfelds Technologie ein und verweist auf den Originalartikel, damit Leser Fakten, Quelle und Kontext nachvollziehen koennen.
Die architektonischen Details des Chipsets Kirin 9030, das in der Mate 80-Serie zum Einsatz kommt, deuten darauf hin, dass SMIC mit seinem als N+3 bezeichneten dritten Generation 7-nm-Produktionsprozess eine unerwartete Erfolgsgeschichte bei der Transistordichte geschrieben hat.
Laut Analyseberichten ergaben Messungen am Kirin 9030, dass die engste Metallverbindungsabstand (Metal Pitch) bei 32,5 nm liegt. Dieser Wert zeigt, dass SMIC in Bezug auf physikalische Verpackung und Packungsdichte mit den globalen Marktführern mithalten kann.
Zum Beispiel bietet der 32,5 nm eine dichtere Struktur als der 40 nm große Abstand im N6-Prozess, der EUV-Technologie einsetzt.
Technik und Auswirkungen
Dieser Wert deutet auf eine Packungsdichte hin, die etwa 10 Prozent höher ist als der 36-nm-Abstand im 18A-Prozessknoten der neuesten Panther Lake-Prozessoren bei der Herstellung der 18A Panther Lake-Chips mit der High-NA-EUV-Technologie ähigere und effizientere Parameter ab.
Quellenprofil
Quelle und redaktionelle Angaben
- Quelle
- wccftech.com
- Canonical
- https://svytech.de/artikel/kirin-9030-analyse-smic-uberholte-intel-bei-der-18a-leistung-doch-fragen-bleiben
- Quell-URL
- https://wccftech.com/kirin-9030-is-proof-that-smic-can-make-denser-socs-without-euv/
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