Kioxia und SanDisk präsentieren den weltweit dichtesten 3D-NAND-Flash-Speicher mit 332 Schichten und einer Geschwindigkeit von 4.800 MT/s.
Kioxia und SanDisk haben auf der FMS-Konferenz 2026 den BiCS10 3D QLC NAND-Speicherchip mit einer Rekorddichte von 37 Gb/mm² und 332 aktiven Schichten vorgestellt, der speziell für Rechenzentren und KI-Anwendungen entwickelt wurde. Die Technologie kombiniert eine Schnittstellengeschwindigkeit von 4.800 MT/s mit energieeffizienten Schaltungen und der CBA-Fertigungstechnik, um hohe Kapazitäten bei gleichzeitig reduzierten Kosten zu ermöglichen, wobei eine erwartete Chipkapazität 1,33 Terabit angedeutet wird.

Kurzfassung
Warum das wichtig ist
- Kioxia und SanDisk haben auf der FMS-Konferenz 2026 den BiCS10 3D QLC NAND-Speicherchip mit einer Rekorddichte von 37 Gb/mm² und 332 aktiven Schichten vorgestellt, der speziell für Rechenzentren und KI-Anwendungen entwickelt wurde.
- Die Technologie kombiniert eine Schnittstellengeschwindigkeit von 4.800 MT/s mit energieeffizienten Schaltungen und der CBA-Fertigungstechnik, um hohe Kapazitäten bei gleichzeitig reduzierten Kosten zu ermöglichen, wobei eine erwartete Chipkapazität 1,33 Terabit angedeutet wird.
- Das neue Bauteil, der BiCS10 3D QLC NAND-Speicher, erreicht eine Flächendichte von 37 Gigabit pro Quadratzentimeter (Gb/mm²) und verfügt über 332 aktive Schichten.
SvyTech-Check
Redaktionelle Einordnung
Kernpunkt
Kioxia und SanDisk haben auf der FMS-Konferenz 2026 den BiCS10 3D QLC NAND-Speicherchip mit einer Rekorddichte von 37 Gb/mm² und 332 aktiven Schichten vorgestellt, der speziell für Rechenzentren und...
Warum relevant
Die Hersteller betonen, dass die Technologie speziell für Rechenzentren und Anwendungen im Bereich der künstlichen Intelligenz (KI) konzipiert wurde.
Einordnung
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Die Hersteller betonen, dass die Technologie speziell für Rechenzentren und Anwendungen im Bereich der künstlichen Intelligenz (KI) konzipiert wurde. Die neue Architektur löst den Vorgänger, den BiCS 3D TLC NAND-Speicher mit einer Dichte von 29 Gb/mm², ab und markiert einen deutlichen Sprung in der Speichertechnologie.
Der Chip kann Schnittstellengeschwindigkeiten 4.800 Megatransfers pro Sekunde (MT/s) erreichen. Obwohl die exakte Kapazität noch nicht offiziell bestätigt wurde, gehen Branchenexperten unter Berücksichtigung der Zellgröße und Zellanzahl 1,33 Terabit aus.
Hochleistungsanwendungen und Energieeffizienz Der BiCS10-Chip ist darauf ausgelegt, SSDs der Rechenzentrumsklasse zu ermöglichen, die sowohl enorme Speicherkapazitäten als auch ein hohes Eingabe-/Ausgabe-(I/O)-Leistungsprofil bieten müssen.
Technik und Auswirkungen
Da KI-gestützte Anwendungen gleichzeitig einen niedrigen Energieverbrauch erfordern, setzen Kioxia und SanDisk auf die Technik der isolierten, stufenweise abgestuften Endstufenschaltung mit Signalintegrität (PI-LTT). Diese Methode reduziert den Stromverbrauch der Hochgeschwindigkeits-Ausgabetreiber, ohne die Signalqualität zu beeinträchtigen.
Quellenprofil
Quelle und redaktionelle Angaben
- Quelle
- tomshardware.com
- Canonical
- https://svytech.de/artikel/kioxia-und-sandisk-prasentieren-den-weltweit-dichtesten-3d-nand-flash-speicher-mit-332-sch
- Quell-URL
- https://www.tomshardware.com/pc-components/ssds/kioxia-and-sandisk-demonstrate-the-worlds-highest-density-3d-nand-flash-332-active-layers-and-up-to-4-800-mt-s-interface
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