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Kioxia und SanDisk kündigen neuen 332-schichtigen 3D-NAND-Speicher an

Kioxia und SanDisk haben die Probenphase für ihre zehnte Generation BiCS-Speichertechnologie (BiCS10) mit 332 aktiven Schichten eingeleitet, die eine Speicherdichte von über 29 Gigabit pro Quadratzentimeter und Datenübertragungsraten 4.800 MT/s für Rechenzentren mit PCIe 5.0- und 6.0-Schnittstellen bietet. Im Vergleich zu früheren Generationen steigert diese Architektur die Speicherdichte um 59 Prozent, reduziert die Leselatency um etwa 10 Prozent und senkt den Energieverbrauch beim Lesen um 25 Prozent, wobei die Fertigung in der Fabrik 2 in Kitakami, Präfektur Iwate, erfolgen wird.

7. Juli 2026RedaktionLive Redaktion
Kioxia und SanDisk kündigen neuen 332-schichtigen 3D-NAND-Speicher an

Kurzfassung

Warum das wichtig ist

tomshardware.comTechnologie
  • Kioxia und SanDisk haben die Probenphase für ihre zehnte Generation BiCS-Speichertechnologie (BiCS10) mit 332 aktiven Schichten eingeleitet, die eine Speicherdichte von über 29 Gigabit pro Quadratzentimeter und Datenübertragungsraten 4.800 MT/s für Rechenzentren mit PCIe 5.0- und 6.0-Schnittstellen bietet.
  • Im Vergleich zu früheren Generationen steigert diese Architektur die Speicherdichte um 59 Prozent, reduziert die Leselatency um etwa 10 Prozent und senkt den Energieverbrauch beim Lesen um 25 Prozent, wobei die Fertigung in der Fabrik 2 in Kitakami, Präfektur Iwate, erfolgen wird.
  • Diese Technologie, als zehnte Generation BiCS (BiCS10) bezeichnet, bietet mit ihrer Struktur aus 332 aktiven Schichten eine der höchsten Speicherdichten der Branche.

SvyTech-Check

Redaktionelle Einordnung

Eigene Kontextschicht

Kernpunkt

Das neue Speicherziel richtet sich vor allem auf Unternehmenssysteme, die mehr Wert auf Leistung und Speicherdichte legen als auf Kosten.

Warum relevant

Hochleistung und technische Details Die BiCS10-Technologie bietet eine Speicherdichte 29 Gigabit pro Quadratzentimeter (>29 Gb/mm²).

Einordnung

SvyTech ordnet die Meldung aus tomshardware.com als Teil des Themenfelds Technologie ein und verweist auf den Originalartikel, damit Leser Fakten, Quelle und Kontext nachvollziehen koennen.

Das neue Speicherziel richtet sich vor allem auf Unternehmenssysteme, die mehr Wert auf Leistung und Speicherdichte legen als auf Kosten. Hochleistung und technische Details Die BiCS10-Technologie bietet eine Speicherdichte 29 Gigabit pro Quadratzentimeter (>29 Gb/mm²).

Diese Speicher erreichen eine Datenübertragungsrate von 4.800 Megatransfers pro Sekunde (MT/s) und wurden so konzipiert, dass sie die Leistungsgrenzen (SSD) in Rechenzentren, die PCIe 5.0- und PCIe 6.0-Schnittstellen nutzen, herausfordern.

Im Vergleich zu früheren Generationen wurde die Speicherdichte um 59 Prozent erhöht, was zu einer bemerkenswerten Steigerung der Effizienz bei Unternehmensanwendungen führt.

Einordnung fuer Autofahrer

Verbesserung bei Energieeffizienz und Latenzzeiten Die neue Architektur reduziert die Leseverzögerung um etwa 4 Mikrosekunden (in der Größenordnung von 10 Prozent) und senkt den Energieverbrauch während des Lesens von 100 Millijoule pro Gigabyte auf 75 Millijoule, was einer Einsparung von 25 Prozent entspricht.

Quellenprofil

Quelle und redaktionelle Angaben

Quelle
tomshardware.com
Canonical
https://svytech.de/artikel/kioxia-und-sandisk-kundigen-neuen-332-schichtigen-3d-nand-speicher-an
Quell-URL
https://www.tomshardware.com/pc-components/ssds/kioxia-and-sandisk-sample-worlds-densest-3d-nand-new-332-layer-beats-samsungs-400-layer-nand

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Diese Erfolge wurden durch ein neues Leseverfahren ermöglicht, das das Verhalten der nicht ausgewählten Wortleitungen (word lines) bei aufeinanderfolgenden Lesevorgängen verändert.

Anstatt wie in herkömmlichen Systemen jede Leitung nach jedem Lesevorgang vollständig auf Massepotential zu entladen, wird in der neuen Architektur die Spannung lediglich auf ein Zwischenlevel gesenkt und für den nächsten Lesevorgang schnell wieder auf das Betriebsspannungsniveau angehoben.

Technischer Hintergrund

Produktionsstrategie und Fabrik-Nutzung Die neue Technologie übertrifft die V10-Speicher 400 Ebenen in Bezug auf die Integrationsdichte. Kioxia und SanDisk werden die Herstellung dieser fortschrittlichen Speicher in Fabrik 2, dem neuesten Produktionswerk in der Stadt Kitakami in der Präfektur Iwate, durchführen.

Die Produktion der verbraucherorientierten 218-Schicht-BICS9-Speicher wird in den Werken. Dadurch werden die fortschrittlichsten Produktionsanlagen direkt für hochdichte Unternehmenslösungen bereitgestellt.

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Originalquelle: tomshardware.com

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