Intel kehrt in den Speichermarkt zurück: Chip-on-Stack-Architektur rückt in den Fokus

Technischer Hintergrund

Das Design nutzt Speicherzellen mit einem Transistor und einem Kondensator (1T1C), die in den Metallisierungsschichten (BEOL) hergestellt werden. Die Datenübertragung erfolgt über serielle UCIe (Universal Chiplet Interconnect Express)-Leitungen mit einer Geschwindigkeit 32 GT/s pro Leitung.

Historischer Hintergrund und zukünftige Prüfung Intels Vergangenheit im Speichermarkt reicht bis zu den Gründungsjahren des Unternehmens im Jahr 1968 zurück. In den 1980er Jahren zog sich das Unternehmen unter dem Druck japanischer Hersteller aus der Speicherproduktion zurück.

Obwohl es in späteren Jahren Initiativen wie RDRAM, 3D NAND und 3D XPoint (Optane) unternahm, konnte es seine strategischen Ziele nicht erreichen und verließ diese Bereiche vollständig. Heute hat die hohe Rentabilität der 3D NAND- und DRAM-Hersteller dazu geführt, dass Intel seine maßgeschneiderten Speichermodule wieder in den Fokus gerückt hat.

Dennoch wird erwartet, dass die Produktion in kommerzielles Maßstab überführt und die Investitionen in Anlagen möglicherweise erst nach 2030 realisiert werden.