Chinesische CXMT bereitet sich darauf vor, Microns Speicherkapazität bis 2026 zu erreichen
Laut Prognosen chinesische DRAM-Hersteller ChangXin Memory Technologies bis 2026 eine Produktionskapazität 350.000 WSPM erreichen, womit China zum zweitgrößten globalen Produktionsstandort aufsteigt und bis 2030 eine Gesamtkapazität 1,41 Millionen WSPM verzeichnen wird. Trotz dieses Wachstums wird bis 2030 ein Angebotsdefizit von 28,7 Exabyte bestehen, da die Nachfrage insbesondere durch KI-Anwendungen die Produktion übersteigen wird, wobei die verfügbare Lithografie-Ausrüstung als wesentliche Wachstumsbremse gilt.
Kurzfassung
Warum das wichtig ist
- Laut Prognosen chinesische DRAM-Hersteller ChangXin Memory Technologies bis 2026 eine Produktionskapazität 350.000 WSPM erreichen, womit China zum zweitgrößten globalen Produktionsstandort aufsteigt und bis 2030 eine Gesamtkapazität 1,41 Millionen WSPM verzeichnen wird.
- Trotz dieses Wachstums wird bis 2030 ein Angebotsdefizit von 28,7 Exabyte bestehen, da die Nachfrage insbesondere durch KI-Anwendungen die Produktion übersteigen wird, wobei die verfügbare Lithografie-Ausrüstung als wesentliche Wachstumsbremse gilt.
- Nach den neuen Prognosemodellen größte DRAM-Hersteller Chinas, ChangXin Memory Technologies (CXMT), bis 2026 in Bezug auf die Produktionskapazität ein Niveau erreichen, das mit Micron vergleichbar ist.
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Redaktionelle Einordnung
Kernpunkt
Trotz dieses Wachstums wird bis 2030 ein Angebotsdefizit von 28,7 Exabyte bestehen, da die Nachfrage insbesondere durch KI-Anwendungen die Produktion übersteigen wird, wobei die verfügbare...
Warum relevant
Falls diese Prognosen eintreffen, wird China in den kommenden Jahren zum zweitgrößten DRAM-Produktionsstandort der Welt aufsteigen.
Einordnung
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Diese Zahl liegt nur 25.000 WSPM unter der Kapazität. Falls diese Prognosen eintreffen, wird China in den kommenden Jahren zum zweitgrößten DRAM-Produktionsstandort der Welt aufsteigen.
Technologieaustausch unter lokalen Herstellern Laut Analyseberichten ermutigt die chinesische Regierung CXMT, die DRAM-Technologie mit JHICC, Swaysure und dem Tochterunternehmen XMC, um lokale Lieferengpässe zu lindern.
Swaysure hat den Bau einer Produktionsanlage mit einer Kapazität von 140.000 WSPM in Shenzhen abgeschlossen, während JHICC über einen Reinraum mit einer Fläche von 120.000 WSPM in seiner Anlage in Jinjiang verfügt. JHICC wird voraussichtlich bis Ende 2026 eine erste Phase mit einer Kapazität von 60.000 WSPM an Ausrüstung beschaffen.
Technik, Energie und Einsatz
Für YMTC wird eine Produktion 50.000 WSPM DRAM am Standort Fab 3 in Wuhan prognostiziert. Mit dem Inbetriebtreten aller dieser Anlagen wird China – abgesehen und SK Hynix in China – eine Gesamt-DRAM-Kapazität von 600.000 WSPM erreichen.
Quellenprofil
Quelle und redaktionelle Angaben
- Quelle
- tomshardware.com
- Canonical
- https://svytech.de/artikel/chinesische-cxmt-bereitet-sich-darauf-vor-microns-speicherkapazitat-bis-2026-zu-erreichen
- Quell-URL
- https://www.tomshardware.com/pc-components/dram/cxmt-close-to-matching-microns-memory-capacity-in-2026-research-claims-would-put-china-on-track-to-become-worlds-second-largest-dram-producer
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