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AMDs neues EXPO Ultra-Low-Latency-Overclocking für DDR5-Speicher bringt 13 % Leistungszuwachs

AMD stellt eine neue automatische Speicher-Overclocking-Funktion vor, die als EXPO Ultra Low Latency (ULL) bezeichnet wird.

1. Juni 2026 Jake Roach Live Redaktion
AMD promises 13% uplift with new EXPO ‘Ultra Low Latency’ overclocking on DDR5 DIMMs — automatic memory overclocking delivers 4% improvement over standard EXPO, says AMD

Kurzfassung

Warum das wichtig ist

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  • AMD stellt eine neue automatische Speicher-Overclocking-Funktion vor, die als EXPO Ultra Low Latency (ULL) bezeichnet wird.
  • Das Tool verspricht laut internen Benchmarks des Herstellers eine durchschnittliche Leistungssteigerung von 13 Prozent in mehr als 30 Spielen im Vergleich zu den JEDEC-Standardgeschwindigkeiten für DDR5-Speicher.
  • Zudem zeigt sich eine Steigerung über dem Standard-EXPO-Modus.

Aktuell liegen nur wenige Details darüber vor, wie EXPO ULL technisch funktioniert oder wo AMD im Vergleich zum Standard-EXPO spezifische Verbesserungen erzielt. Trotzdem hat AMD einige allgemeine Benchmarks veröffentlicht, die die Leistung Ryzen 7 9700X-Prozessor in über 30 Spielen demonstrieren.

AMD promises 13% uplift with new EXPO ‘Ultra Low Latency’ overclocking on DDR5 DIMMs — automatic memory overclocking delivers 4% improvement over standard EXPO, says AMD
AMD promises 13% uplift with new EXPO ‘Ultra Low Latency’ overclocking on DDR5 DIMMs — automatic memory overclocking delivers 4% improvement over standard EXPO, says AMD

AMD teilte weder die Auflösung der Tests – diese liegen vermutlich bei 1080p – noch Details zu den Einstellungen für die einzelnen Titel mit, außer dass diese für die „best performance" optimiert wurden. Die vollständige Konfiguration ist in einer Bildergalerie nachzusehen.

AMD promises 13% uplift with new EXPO ‘Ultra Low Latency’ overclocking on DDR5 DIMMs — automatic memory overclocking delivers 4% improvement over standard EXPO, says AMD
AMD promises 13% uplift with new EXPO ‘Ultra Low Latency’ overclocking on DDR5 DIMMs — automatic memory overclocking delivers 4% improvement over standard EXPO, says AMD

Im direkten Vergleich zum JEDEC-Standard DDR5-5600 mit CL46 zeigt AMD mit dem Standard-EXPO eine Geschwindigkeit von DDR5-6000, was einer Steigerung EXPO ULL bei DDR5-6000 und CL30 erreicht das System eine Leistungssteigerung von 13 Prozent.

Bezüglich der 1-Percent-Low-Werte vermeldet AMD eine Leistungssteigerung für das Standard-EXPO und 15 Prozent für EXPO ULL. AMD präzisierte die CAS-Latenz des Standard-EXPO-Spechers nicht explizit, erwähnte jedoch, dass Tests bei CL28, CL30 und CL36 sowohl für EXPO als auch für EXPO ULL durchgeführt wurden.

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Originalquelle: Tom's Hardware

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AMD promises 13% uplift with new EXPO ‘Ultra Low Latency’ overclocking on DDR5 DIMMs — automatic memory overclocking delivers 4% improvement over standard EXPO, says AMD
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