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TSMCs A16-Prozessknoten von „1,6 nm“ verspricht über 2-nm-Technologien einen Geschwindigkeitszuwachs von 10 % oder eine Leistungsreduktion von 20 %, wobei die Rückseiten-Stromversorgung voraussichtlich bis zum vierten Quartal 2026 in Produktion gehen wird

TSMC's nchste Generation A16 oder 1.6nm Prozess-Technologie wird Beginn seiner "Angstrom-ra"-Reise markieren und verbesserte Leistungs-/Leistungsmerkmale Vergleich zu 2nm liefern.

2. Mai 2026Hassan MujtabaLive Redaktion
TSMC’s A16 ‘1.6nm’ Node Promises 10% Speed Boost or 20% Power Cut Over 2nm, With Backside Power Hitting Production by Q4 2026

Kurzfassung

Warum das wichtig ist

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  • TSMC's nchste Generation A16 oder 1.6nm Prozess-Technologie wird Beginn seiner "Angstrom-ra"-Reise markieren und verbesserte Leistungs-/Leistungsmerkmale Vergleich zu 2nm liefern.
  • A16 ist Teil , zu der A14 sowie die krzlich angekndigten A13 und A12 gehren.
  • In einer Vorschau, die VLSI fr das kommende Paper mit dem Titel T1.5 bereitgestellt hat, wiederholt TSMC die Vorteile des Leistungs-/Leistungsmerkmals.

Auf dem VLSI-Symposium 2026 wird

Eines der grten Merkmale von A16 wird die Hinzufgung (BSPDN) sein, die TSMC als Super Power Rail (SPR) bezeichnet. A16 wird eine optimierte Nanosheet-Transistor-Technologie nutzen, die erstmals bei seiner N2 (2nm)-Technologie verwendet wurde und die spter in Chips wie AMDs EPYC Venice eingesetzt wird.

Intel hat Backside Power Delivery bereits fr seine 18A-Prozess-Technologie genutzt und die Panther Lake CPUs mit Strom versorgt. Was die Leistung betrifft, so wird TSMC A16 eine Geschwindigkeitssteigerung von 8–10 % gegenüber N2P bei gleicher Kernfläche bieten.

Oder die Prozess-Technologie kann eine Reduzierung

Oder die Prozess-Technologie kann eine Reduzierung des Stromverbrauchs von 20 % gegenüber N2 bieten. Die neue Prozess-Technologie erhöht außerdem die Logikdichte und SRAM-Dichte um bis zu 8–10 %.

Die TSMC A16 Technologie integriert führende Nanosheet-Transistoren mit innovativen Super Power Rail (SPR)-Lösungen und bringt eine stark verbesserte Logikdichte und Leistung. SPR verbessert die Logikdichte und Leistung, indem es Front-Side-Routing-Ressourcen für Signale widmet.

Es reduziert auch erheblich den IR-Abfall und verbessert die Effizienz der Stromversorgung. Am wichtigsten ist, dass unser neuartiges Backside-Kontakt-Schema die Gate-Dichte, den Layout-Fußabdruck und die Gerätebreitenflexibilität bei traditioneller Front-Side-Stromversorgung bewahrt, um eine branchenweit erste beste Dichte und beste Leistung zu erreichen.

Leistung und Energieausbeute

Im Vergleich zu TSMCs N2P-Prozess wird A16 eine Geschwindigkeitssteigerung von 8–10 % bei gleicher Vdd (positiver Versorgungsspannungsspannung), eine Leistungsreduzierung von 15–20 % bei gleicher Geschwindigkeit und eine Chipdichte 1,10X bieten, was es am besten für Hochleistungsrechner (HPC)-Produkte mit komplexen Signalpfaden und dichten Stromversorgungssystemen macht.

TSMC Dem neuesten Stand nach ist TSMC A16 für die Massenproduktion im Q4 2026 geplant, aber das bedeutet nicht, dass wir zu dieser Zeit Chips mit diesem Prozess sehen werden. Tatsächliche Produkte, die auf A16 basieren, sind für einen Zeitraum von 2027–2028 geplant.

Die Knoten A16 und A14 werden eine Schlüsselrolle bei der Positionierung für die nächste Generation , wie A13 und A12. Die TSMC A13 (1,3 nm) Prozess-Technologie ist eine Verkleinerung des A14-Knotens.

Der Knoten bietet 6 % Flächeneinsparung

Der Knoten bietet 6 % Flächeneinsparung gegenüber A14. Mit A13 verspricht TSMC seinen Kunden kompakter und effizientere Designs.

A13 wird ein Hauptknoten für HPC, KI und mobile Anwendungen sein. Hinsichtlich Verbesserungen neben der Flächenreduzierung bietet der A13-Knoten auch volle Rückwärtskompatibilität mit A14.

Der Knoten wird bis 2029 in die Produktionsphase eintreten, ein Jahr nach A14 (1,4 nm). Ungefähr zur gleichen Zeit plant TSMC auch die Einführung seines A12-Knotens (1,2 nm), welcher eine weitere Verbesserung des A14-Knotens darstellt.

Der A12-Knoten nutzt TSMCs Super Power

Der A12-Knoten nutzt TSMCs Super Power Rail Technologie für die Stromversorgung auf der Rückseite und ist für die Produktion bis 2029 geplant. Diese Prozesstechnologien sind für TSMC , da das Unternehmen seine Produktionskapazitäten in seinen verschiedenen Fabriken erhöht und gleichzeitig neue Fabriken hinzufügt.

Angesichts der anhaltend steigenden Beschränkungen aufgrund der KI-Nachfrage öffnet sich der Markt für Wettbewerber wie Intel, um Lücken zu füllen, und Intel tut dies in großem Umfang mit seinen kommenden fortschrittlichen Verpackungstechnologien wie EMIB und extern kundenorientierten Knoten wie 18A-P und 14A. Nachrichtenquelle: Dr.

Ian Cutress Über den Autor: Hassan Mujtaba ist ein PC-Enthusiast und arbeitet als Senior Editor für den Hardware-Bereich bei Wccftech.

Mit jahrelanger Erfahrung in der Branche

Mit jahrelanger Erfahrung in der Branche spezialisiert er sich auf tiefgehende technische Analysen nächsten Generation, Motherboards und Kühllösungen. Seine Arbeit umfasst nicht nur die Berichterstattung über kommende Technologien, sondern auch umfangreiche praktische Tests und Benchmarks.

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TSMC’s A16 ‘1.6nm’ Node Promises 10% Speed Boost or 20% Power Cut Over 2nm, With Backside Power Hitting Production by Q4 2026
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