Samsung nutzt NAND-Trick für DRAM-Revolution, SK hynix setzt auf vertikales Stacking im KI-Speicherwettbewerb
Laut Brancheninsidern verfolgen Samsung und SK hynix unterschiedliche Ansätze bei der Herstellung nächsten Generation.
Kurzfassung
Warum das wichtig ist
- Laut Brancheninsidern verfolgen Samsung und SK hynix unterschiedliche Ansätze bei der Herstellung nächsten Generation.
- Der durch den Ausbau öste Boom bei der Nachfrage nach Computern hat den Speichermarkt belastet und zu Engpässen bei HBM, DRAM und anderen Chips geführt, da diese alle dieselben Rohstoffe für die Produktion benötigen.
- Als Teil ihrer Bemühungen um die Fertigung nächsten Generation deuten die Quellen darauf hin, dass Samsung an der Verwendung der Gate-all-around-FET-Technologie (GAAFET) für seine DRAM-Speicher der nächsten Generation interessiert ist.
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Redaktionelle Einordnung
Kernpunkt
Laut Brancheninsidern verfolgen Samsung und SK hynix unterschiedliche Ansätze bei der Herstellung nächsten Generation.
Warum relevant
Während bei der Fertigungstechnologie für Anwendungsprozessoren Begriffe in Nanometern verwendet werden, bedient sich die Technologie für Speicherschips einer anderen Nomenklatur.
Einordnung
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Während bei der Fertigungstechnologie für Anwendungsprozessoren Begriffe in Nanometern verwendet werden, bedient sich die Technologie für Speicherschips einer anderen Nomenklatur. Zur Beschreibung; so steht beispielsweise der Begriff 1c für Produkte, die am 10-Nanometer-Knoten oder darunter gefertigt wurden.
Da Speicherchips sich, dass sie Daten speichern müssen, umfasst ihre Herstellung auch die Erzeugung eines Kondensators zur Datenspeicherung.
Dieser Kondensator arbeitet zusammen mit einem Transistor; mit schrumpfenden Knotengrößen steigt die Komplexität der Datenspeicherung darin, da der Kondensator eine bestimmte Größe aufweisen muss, um funktionsfähig zu bleiben.
Quellenprofil
Quelle und redaktionelle Angaben
- Quelle
- Wccftech
- Canonical
- https://wccftech.com/samsung-borrows-nand-trick-to-crack-next-gen-dram-while-sk-hynix-bets-on-vertical-stacking-to-win-the-ai-memory-war/
- Quell-URL
- https://wccftech.com/samsung-borrows-nand-trick-to-crack-next-gen-dram-while-sk-hynix-bets-on-vertical-stacking-to-win-the-ai-memory-war/
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