Samsung nutzt NAND-Trick für DRAM-Revolution, SK hynix setzt auf vertikales Stacking im KI-Speicherwettbewerb
Laut Brancheninsidern verfolgen Samsung und SK hynix unterschiedliche Ansätze bei Herstellung nächsten Generation.

Kurzfassung
Warum das wichtig ist
- Laut Brancheninsidern verfolgen Samsung und SK hynix unterschiedliche Ansätze bei Herstellung nächsten Generation.
- Der durch den Ausbau öste Boom bei der Nachfrage nach Computern hat den Speichermarkt belastet und zu Engpässen bei HBM, DRAM und anderen Chips geführt, da diese alle dieselben Rohstoffe für die Produktion benötigen.
- Als Teil ihrer Bemühungen um die Fertigung nächsten Generation deuten die Quellen darauf hin, dass Samsung an der Verwendung der Gate-all-around-FET-Technologie (GAAFET) für seine DRAM-Speicher der nächsten Generation interessiert ist.
Zur Beschreibung; so steht beispielsweise der Begriff 1c für Produkte, die am 10-Nanometer-Knoten oder darunter gefertigt wurden. Da Speicherchips sich, dass sie Daten speichern müssen, umfasst ihre Herstellung auch die Erzeugung eines Kondensators zur Datenspeicherung.
Dieser Kondensator arbeitet zusammen mit einem Transistor; mit schrumpfenden Knotengrößen steigt die Komplexität der Datenspeicherung darin, da der Kondensator eine bestimmte Größe aufweisen muss, um funktionsfähig zu bleiben.

Infolgedessen bewegen sich Chiphersteller in Richtung 3D-DRAM, bei dem Transistoren horizontal statt vertikal angeordnet werden, da Fortschritte in der Fertigung eine höhere Dichte ermöglichen, was jedoch die Wahrscheinlichkeit eines Kontakts zwischen zwei Transistoren erhöht. Ein Ansatz, den Samsung für seine neueren DRAM-Chips entwickelt, ist die Verwendung der GAAFET-Fertigungstechnologie.
Holz als technisches Geruest
Bei der Fertigung ßt die GAAFET das Gate eines Transistors um seinen Kanal. Da das Gate für die Steuerung des Stromflusses in einem Transistor verantwortlich ist, führt die vergrößerte Kontaktfläche zwischen Gate und Kanal in einem GAAFET zu einer verbesserten Leistung.

Allerdings müssen laut Quellen Samsung, da ein DRAM-Chip auch Kondensatoren enthält, sowohl einen GAAFET-Transistor als auch einen Kondensator innerhalb einer DRAM-Zelle integrieren. Eine besteht darin, die Schaltung des Chips, die Operationen wie Lesen und Schreiben steuert, unter dem Speicherarray anzubringen, wie es bei NAND-Chips der Fall ist.
Auf der anderen Seite experimentiert SK hynix mit dem 4F²-Ansatz, bei dem die Transistoren vertikal gestapelt werden und das Gate-Material sie umgibt. Dies ähnelt dem GAAFET-Prozess, und die Komponenten des Chips, die für die Aufnahme zuständig sind, werden unter dem Transistor-Pfeiler platziert.
Laut der Quelle eilen SK hynix
Laut der Quelle eilen SK hynix und Samsung darum, ihre Ansätze als erste anerkannt zu sehen, um sie zum Standardmodell zu machen und die nächste Generation. Über den Autor: Ramish ist ein erfahrener Technologieautor und Redakteur mit mehr als einem Jahrzehnt Erfahrung. Er spezialisiert sich auf die Halbleiterfertigung und Marktanalysen.
Mit einem Hintergrund in Finanzwesen und Supply-Chain-Management – durch einen Bachelor in Finance und einen Micromaster in Supply-Chain-Management – verbindet Ramish finanzielle Strenge mit tiefgreifendem Branchenwissen, um präzise und autoritative Berichterstattung zu liefern. Sie Wccftech auf Google, um weitere unserer Nachrichtenabdeckungen in Ihren Feeds zu erhalten.
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Quellenprofil
Quelle und redaktionelle Angaben
- Quelle
- Wccftech
- Originaltitel
- Samsung Borrows NAND Trick To Crack Next-Gen DRAM, While SK hynix Bets on Vertical Stacking To Win the AI Memory War
- Canonical
- https://wccftech.com/samsung-borrows-nand-trick-to-crack-next-gen-dram-while-sk-hynix-bets-on-vertical-stacking-to-win-the-ai-memory-war/
- Quell-URL
- https://wccftech.com/samsung-borrows-nand-trick-to-crack-next-gen-dram-while-sk-hynix-bets-on-vertical-stacking-to-win-the-ai-memory-war/
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